外延( epitaxial)一詞來源于希臘文，意為“安排在上面”。在半導(dǎo)體技術(shù)中，GS7966-424-116BBZ指薄膜的單晶結(jié)構(gòu)。在CVD反應(yīng)室內(nèi)，硅原子被淀積在裸露的晶圓上，形成單晶結(jié)構(gòu)（見圖12. 27）。，當(dāng)對(duì)化學(xué)反應(yīng)劑進(jìn)行有效控制，并且正確設(shè)置了系統(tǒng)的參數(shù)時(shí)，具有足夠能量的淀積原子到達(dá)晶圓表面，并在其表面游動(dòng)，將自身調(diào)整到與晶圓原子的晶體方向相一致。這樣，淀積在<111>晶向的晶圓上便生長(zhǎng)成<111>晶向的外延層。

   外延薄膜匡至基葦量蔞至薹至要晶器皋構(gòu)

   另外，如果晶圓的表面有一層薄的二氧化硅、非晶態(tài)層表面或污染物‘22，則會(huì)影響淀積原子的正確定位，結(jié)果導(dǎo)致薄膜結(jié)構(gòu)為多晶硅。這種情形可在某些方面，如MOS柵中得以應(yīng)用。但對(duì)于單晶的薄膜結(jié)構(gòu)，則并不希望多晶的出現(xiàn)。