還町以使用非接觸的光學(xué)形貌儀測(cè)量薄膜厚度或臺(tái)階高度。除了一束光束掃過表面和薄膜臺(tái)階，IRF3205S并反射到探測(cè)器外，測(cè)試方案類似于觸針形貌儀。在反射束的變化被轉(zhuǎn)換成臺(tái)階高度。這個(gè)技術(shù)在14.9節(jié)將進(jìn)一步論述。

   光聲法

   一種非破壞性厚度測(cè)試依靠光聲原理。在1877年，亞歷山大·格雷厄姆·貝爾( AlexanderGraham Bell)友現(xiàn)在特定的環(huán)境，光波的干涉將產(chǎn)生聲音。在半導(dǎo)體厚度應(yīng)用中，一束激光被轉(zhuǎn)換成細(xì)微的聲音，依次在晶圓表面上薄膜的兩個(gè)表面反射。通過測(cè)量在兩個(gè)脈沖間的反射延遲，就能計(jì)算出其厚度。

   四探針薄層電阻測(cè)量法也能用于測(cè)量薄膜厚度。在前面章節(jié)介紹r這種方法和計(jì)算。

   超薄MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵厚度

   金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( MOSFET)按比例縮小將柵的厚度減到10 nm的范圍。厚度、面積和材料完整性都影響著器件的性能。這三者的測(cè)量對(duì)于工藝控制和器件工作是關(guān)鍵。采用專門的激光源和數(shù)據(jù)處理的商業(yè)橢偏儀可以測(cè)量在納米范圍的二氧化硅、氮化硅和二氧化鈦的膜厚度。    

   由于這3個(gè)變量的量級(jí)和相互影響是關(guān)鍵，如果給出這些長(zhǎng)度是原子直徑的量級(jí)上，在測(cè)試器件上進(jìn)行電容（capacitance）或電壓(voltage)的測(cè)量（見14. 11.3節(jié)）。這些描繪出器件功能的實(shí)際形貌，超過物理測(cè)量方法。