二次離子質(zhì)譜法
發(fā)布時(shí)間:2015/11/10 20:00:43 訪問次數(shù):1007
一個(gè)二次離子質(zhì)譜( SIM)儀利用能從表面原子產(chǎn)生次離子的能量來轟擊晶圓表面， IRF4905PBF它能探測(cè)結(jié)點(diǎn)區(qū)域的摻雜物此儀器在一層一層地去除表面甚至整個(gè)結(jié)點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)摻雜原子從光束中消失時(shí)就可以經(jīng)過一定轉(zhuǎn)換得到結(jié)深.
掃描電容顯微鏡
原f力移微鏡( AFM)的一個(gè)功能是進(jìn)行電容測(cè)量，因?yàn)橐粋�(gè)摻雜層電容的變化反映了與結(jié)點(diǎn)的接近程度，所以它也能用于結(jié)深測(cè)最、其樣品的準(zhǔn)備和擴(kuò)展電阻測(cè)試中的方法是一樣的i
掃描電容濕微鏡( SCM)提供了10 A的精度6，并可結(jié)合濃度形貌和結(jié)深測(cè)量技術(shù)用于皿微米結(jié)點(diǎn)中.
一個(gè)二次離子質(zhì)譜( SIM)儀利用能從表面原子產(chǎn)生次離子的能量來轟擊晶圓表面， IRF4905PBF它能探測(cè)結(jié)點(diǎn)區(qū)域的摻雜物此儀器在一層一層地去除表面甚至整個(gè)結(jié)點(diǎn)同時(shí)進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)摻雜原子從光束中消失時(shí)就可以經(jīng)過一定轉(zhuǎn)換得到結(jié)深.
掃描電容顯微鏡
原f力移微鏡( AFM)的一個(gè)功能是進(jìn)行電容測(cè)量，因?yàn)橐粋�(gè)摻雜層電容的變化反映了與結(jié)點(diǎn)的接近程度，所以它也能用于結(jié)深測(cè)最、其樣品的準(zhǔn)備和擴(kuò)展電阻測(cè)試中的方法是一樣的i
掃描電容濕微鏡( SCM)提供了10 A的精度6，并可結(jié)合濃度形貌和結(jié)深測(cè)量技術(shù)用于皿微米結(jié)點(diǎn)中.
上一篇：掃描電鏡厚度測(cè)量
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