平移量與氧化膜層中的可動離子污染物的數(shù)量、氧化膜厚度和晶圓摻雜有關(guān)。REF102AP電容一電壓分析，只能得到其值，并不能區(qū)分氧化膜層的污染元素（鈉、鉀、鐵等），也不能決定污染物的來源。這些污染物有可能來自晶圓表面、某一清洗步驟、氧化爐管、蒸發(fā)工藝、合金爐管或晶圓已經(jīng)經(jīng)歷的其他任何工藝。

   在考慮變換工藝流程，例如清洗工藝，是否會對晶圓造成污染時，通常要進行電容一電壓分析。為便于分析，通常把需要做電容一電壓分析的晶圓分成兩組。一組按前面講的正常步驟來進行；第二組通常在氧化層與鋁層之間加上一個新的清洗工藝然后進行測試。將得到的兩個平移電壓進行比較，可見新的工藝增加了移動離子，會造成晶圓污染。

   可接受的電容一電壓漂移通常在0.1—0.5 V之間，取決于做在晶圓上的器件的敏感性。在制造領(lǐng)域電容一電壓分析已成為一項標準測試。可在任何變化的工藝設(shè)備維護或清洗等可能產(chǎn)生污染之后進行。電容一電壓曲線還提供了許多其他的有用信息，例如帶電壓和表面狀態(tài)。柵氧化層的厚度也可以通過電容一電壓吐線進行測試得到。