焊要求有兩個(gè)焊點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2015/11/15 14:24:29 訪問(wèn)次數(shù):1004
焊要求有兩個(gè)焊點(diǎn),并且是TMS320F240PQA一個(gè)接一個(gè)進(jìn)行的。要增加更多的連接數(shù)量(管腳數(shù))。為r解決這螳問(wèn)題,人們提出r用淀積在每個(gè)壓焊點(diǎn)上的金屬凸點(diǎn)( bump)來(lái)替代金屬線。凸點(diǎn)也稱為球( ball),與用在凸點(diǎn)或倒裝工藝的管殼命名樣為球柵陣列( BGA)。這種壓焊方法允許芯片設(shè)計(jì)將壓點(diǎn)放置在芯片的邊緣和芯片的內(nèi)部(見(jiàn)圖18. 23)。這些位置將凸點(diǎn)放得更接近芯片電路,增加信號(hào)傳送速度。把芯片翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)后對(duì)金屬凸點(diǎn)的焊接實(shí)現(xiàn)r封裝體的電
路連接。,將芯片翻轉(zhuǎn)并使凸點(diǎn)與封裝體或印制或許最大的問(wèn)題來(lái)自于操作更大的電路需電路板L相應(yīng)的內(nèi)引腳焊接,實(shí)現(xiàn)與封裝體的連接(見(jiàn)圖18.24)。IBM公司稱這項(xiàng)技術(shù)為“受控貼片連接”(C4)一。
這種【藝讓芯片懸在管殼表面的上方。物理應(yīng)力和應(yīng)變被軟焊料凸點(diǎn)吸收。通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂填充縫隙可以增加應(yīng)力裕度,這種填充稱為下填料(underfill】凸點(diǎn)連接技術(shù),起始于晶圓制造藝。
芯片倒裝連接技術(shù)在晶圓制造工藝中開(kāi)始,通過(guò)常用的金屬化、鈍化和壓點(diǎn)圖形化工藝加【晶圓。對(duì)于多芯片封裝,為了加熱芯片要求對(duì)其進(jìn)行減薄。對(duì)于三維封裝的晶圓典型地要減薄到75 ym的厚度6:。
用幾種工藝流程在壓點(diǎn)上形成焊料凸點(diǎn)。下面介紹的是一個(gè)工藝的例子。
焊要求有兩個(gè)焊點(diǎn),并且是TMS320F240PQA一個(gè)接一個(gè)進(jìn)行的。要增加更多的連接數(shù)量(管腳數(shù))。為r解決這螳問(wèn)題,人們提出r用淀積在每個(gè)壓焊點(diǎn)上的金屬凸點(diǎn)( bump)來(lái)替代金屬線。凸點(diǎn)也稱為球( ball),與用在凸點(diǎn)或倒裝工藝的管殼命名樣為球柵陣列( BGA)。這種壓焊方法允許芯片設(shè)計(jì)將壓點(diǎn)放置在芯片的邊緣和芯片的內(nèi)部(見(jiàn)圖18. 23)。這些位置將凸點(diǎn)放得更接近芯片電路,增加信號(hào)傳送速度。把芯片翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)后對(duì)金屬凸點(diǎn)的焊接實(shí)現(xiàn)r封裝體的電
路連接。,將芯片翻轉(zhuǎn)并使凸點(diǎn)與封裝體或印制或許最大的問(wèn)題來(lái)自于操作更大的電路需電路板L相應(yīng)的內(nèi)引腳焊接,實(shí)現(xiàn)與封裝體的連接(見(jiàn)圖18.24)。IBM公司稱這項(xiàng)技術(shù)為“受控貼片連接”(C4)一。
這種【藝讓芯片懸在管殼表面的上方。物理應(yīng)力和應(yīng)變被軟焊料凸點(diǎn)吸收。通過(guò)用環(huán)氧樹(shù)脂填充縫隙可以增加應(yīng)力裕度,這種填充稱為下填料(underfill】凸點(diǎn)連接技術(shù),起始于晶圓制造藝。
芯片倒裝連接技術(shù)在晶圓制造工藝中開(kāi)始,通過(guò)常用的金屬化、鈍化和壓點(diǎn)圖形化工藝加【晶圓。對(duì)于多芯片封裝,為了加熱芯片要求對(duì)其進(jìn)行減薄。對(duì)于三維封裝的晶圓典型地要減薄到75 ym的厚度6:。
用幾種工藝流程在壓點(diǎn)上形成焊料凸點(diǎn)。下面介紹的是一個(gè)工藝的例子。
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