濺射淀積內(nèi)部金屬堆疊
發(fā)布時(shí)間:2015/11/15 14:25:44 訪問次數(shù):942
濺射淀積內(nèi)部金屬堆疊：鉛或TMS320DM6467ZUT7錫焊料球是首選凸點(diǎn)材料。然而，在大部分集成電路中的最后金屬層是鋁，它有容易被氧化成絕緣的氧化鋁的缺點(diǎn)。將鋁和凸球電連接要求一個(gè)凸點(diǎn)F-金屬化( UBM)金屬疊層（又稱栓塞）j7。金屬疊層還必須鍵合到通孑L的各面，基本封住下面集成電路壓點(diǎn)來防止污染。UBM工藝以通過濺射刻蝕或濕法化學(xué)處理去除氧化鋁層為起點(diǎn)。
典型的金屬堆疊有4層：
·對(duì)于“濕”硅的增黏層( Ti/Cr/AI)
·擴(kuò)散阻擋層，以防無用的金屬擴(kuò)散進(jìn)集成電路從而引起污染(Cr: Cu)
·助焊層( Cu/Ni: V)
·氧化阻擋層，以防與凸點(diǎn)金屬( Au)產(chǎn)生機(jī)械或電連接
濺射淀積內(nèi)部金屬堆疊：鉛或TMS320DM6467ZUT7錫焊料球是首選凸點(diǎn)材料。然而，在大部分集成電路中的最后金屬層是鋁，它有容易被氧化成絕緣的氧化鋁的缺點(diǎn)。將鋁和凸球電連接要求一個(gè)凸點(diǎn)F-金屬化( UBM)金屬疊層（又稱栓塞）j7。金屬疊層還必須鍵合到通孑L的各面，基本封住下面集成電路壓點(diǎn)來防止污染。UBM工藝以通過濺射刻蝕或濕法化學(xué)處理去除氧化鋁層為起點(diǎn)。
典型的金屬堆疊有4層：
·對(duì)于“濕”硅的增黏層( Ti/Cr/AI)
·擴(kuò)散阻擋層，以防無用的金屬擴(kuò)散進(jìn)集成電路從而引起污染(Cr: Cu)
·助焊層( Cu/Ni: V)
·氧化阻擋層，以防與凸點(diǎn)金屬( Au)產(chǎn)生機(jī)械或電連接
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