清潔干燥的氬氣（或氖氣）可以保持薄膜的成分特征不變，而且低濕度可以阻止薄膜發(fā)生不必要的氧化。反應(yīng)室裝載晶圓之后，泵開始抽氣（向外）， AD3110將其壓力減小到1×10'9托左右。然后充入氬氣，并使其電離。要嚴(yán)格控制進(jìn)入室內(nèi)的氬氣的量，因?yàn)闅鍤庠龆鄷?huì)造成室內(nèi)壓力升高。由于氬氣和轟擊出的原材料存在，室內(nèi)壓力將上升到大約10一托。對(duì)于薄膜淀積速率，反應(yīng)室壓力是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。從靶上轟擊出原材料之后，氬離子、轟擊出的原材料、氣體原子和濺射工藝所產(chǎn)生的電子，在靶前方形成一個(gè)等離子區(qū)域。、等離子區(qū)是可見的，呈現(xiàn)紫色輝光。、而黑色區(qū)域?qū)⒌入x子區(qū)和靶分開，我們稱之為暗區(qū)( dark space)。

   有4種濺射方法可用：二極管（直流）、頻(RDI)]、三極管和磁控管。磁控管濺射( magnetron) 已經(jīng)作為優(yōu)選系統(tǒng)而呈現(xiàn)。這種系統(tǒng)將磁極安裝在靶的背面和四周（見圖13. 14），磁鐵俘獲和限制電子到靶前的運(yùn)動(dòng)及到晶圓的運(yùn)動(dòng)。j此外，它將可以被濺射逭的靶室材料的量最小化，并防止對(duì)淀積膜的污染。磁控系統(tǒng)對(duì)于提高淀積速率更加有效。因此，磁控系統(tǒng)產(chǎn)生的離子流（轟擊靶的氬離子密度）要比傳統(tǒng)的二極濺射系統(tǒng)好，、其次，反應(yīng)室的壓力將更低，這有利于淀積膜的清潔i，另外，磁控濺射系統(tǒng)使得靶的溫度降低，有利于鋁和鋁合金的濺射。

   實(shí)際生產(chǎn)用的濺射系統(tǒng)各種各樣。有的反應(yīng)室是批次晶圓生產(chǎn)系統(tǒng)，有的則是單晶圓生產(chǎn)系統(tǒng)。大部分生產(chǎn)設(shè)備都有裝料自鎖能力。裝料口就像接待室，它是局部真空的，可以保證反應(yīng)室維持真空。它的優(yōu)點(diǎn)就是提供了更高的生產(chǎn)率。生產(chǎn)設(shè)備通�？梢灾С忠环N或兩種靶材，而且隨著機(jī)械技術(shù)的發(fā)展，將來的設(shè)備會(huì)有更大的擴(kuò)展性。

   濺射I：藝還能完成品圓表面的腐蝕和清潔。將晶圓承載臺(tái)放在一個(gè)小同的場壓F，使得氬原子直接轟擊晶圓，來完成刻蝕和清潔。這種工藝程序稱為濺射刻蝕(sputter etCh)、反濺射(reverse sputter)或離子銑(ion milling)，、它可清除晶圓上的污染物和一層薄的膜。清除污染物提高了已暴露晶圓區(qū)域與薄膜之間的電連接．同時(shí)提高了薄膜對(duì)晶圓表面其他部分的黏度。