三極管的主要參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2015/12/18 21:14:58 訪問(wèn)次數(shù):753
三極管的參數(shù)可以分為直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。三極管的參數(shù)是我們選用三極管的主要依據(jù),ICL7135CDW了解其參數(shù)可以避免因選用不當(dāng)而造成的三極管的損壞。
(1)直流參數(shù)
①集電極一基極反向電流ICBO。當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí),如果在集電極和基極間加上規(guī)定的反向電壓,集電極中的漏電流就稱為ICBO。此值越小表明三極管的熱穩(wěn)定性越好,一般的小功率晶體管約為lOruA左右,硅晶體管的值更小一些。
②集電極一發(fā)射極反向電流ICEO。ICE()也稱為穿越電流。當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),如果在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定昀反向電壓,集電極的漏電流就稱為ICEO。此值越小越好,硅晶體管一般較小,約在lriA以下。
(2)極限參數(shù)
①集電極的最大允許電流ICM。當(dāng)晶體管的盧值下降到最大值的一半時(shí),晶體管的集電極電流就稱為集電極最大允許電流。實(shí)際使用時(shí)IC要小于ICM。
②集電極最大允許耗散功率PCM。當(dāng)晶體管工作時(shí),由于集電極要耗散一定的功率而使集電結(jié)發(fā)熱,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)就會(huì)導(dǎo)致參數(shù)的變化,甚至燒毀晶體管。為此規(guī)定晶體管集電極溫度升高到不致于將集電結(jié)燒毀所消耗的功率,就稱為集電極最大耗散功率。
③集電極發(fā)射極反向擊穿電壓BUCEO。當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),集電極與發(fā)射極之間允許價(jià)額最大電壓。在實(shí)際應(yīng)用時(shí),加到集電極與發(fā)射極之間的電壓,一定要小于BU CEO,否則將損壞晶體管。
三極管的參數(shù)可以分為直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。三極管的參數(shù)是我們選用三極管的主要依據(jù),ICL7135CDW了解其參數(shù)可以避免因選用不當(dāng)而造成的三極管的損壞。
(1)直流參數(shù)
①集電極一基極反向電流ICBO。當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí),如果在集電極和基極間加上規(guī)定的反向電壓,集電極中的漏電流就稱為ICBO。此值越小表明三極管的熱穩(wěn)定性越好,一般的小功率晶體管約為lOruA左右,硅晶體管的值更小一些。
②集電極一發(fā)射極反向電流ICEO。ICE()也稱為穿越電流。當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),如果在集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定昀反向電壓,集電極的漏電流就稱為ICEO。此值越小越好,硅晶體管一般較小,約在lriA以下。
(2)極限參數(shù)
①集電極的最大允許電流ICM。當(dāng)晶體管的盧值下降到最大值的一半時(shí),晶體管的集電極電流就稱為集電極最大允許電流。實(shí)際使用時(shí)IC要小于ICM。
②集電極最大允許耗散功率PCM。當(dāng)晶體管工作時(shí),由于集電極要耗散一定的功率而使集電結(jié)發(fā)熱,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)就會(huì)導(dǎo)致參數(shù)的變化,甚至燒毀晶體管。為此規(guī)定晶體管集電極溫度升高到不致于將集電結(jié)燒毀所消耗的功率,就稱為集電極最大耗散功率。
③集電極發(fā)射極反向擊穿電壓BUCEO。當(dāng)基極開(kāi)路時(shí),集電極與發(fā)射極之間允許價(jià)額最大電壓。在實(shí)際應(yīng)用時(shí),加到集電極與發(fā)射極之間的電壓,一定要小于BU CEO,否則將損壞晶體管。
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