P-N結(jié)內(nèi)存在的電子和空穴具有從高濃度到低濃度擴散的作用，形成內(nèi)部自建電場E，P6KE120CA當(dāng)光照射在P-N結(jié)及其附近時，在能量足夠大的光子作用下，在結(jié)區(qū)及其附近就產(chǎn)生少數(shù)載流子（電子和空穴對），載流子在電場E的作用，電子漂移到N區(qū)，空穴漂移到P區(qū)。結(jié)果使N區(qū)帶負(fù)電荷，P區(qū)帶正電荷，產(chǎn)生附加電動勢，此電動勢稱為光生電動勢，此現(xiàn)象稱為光生伏特效應(yīng)。

   半導(dǎo)體置于磁場中，光垂直照射其表面，當(dāng)光子能量足夠大時，在表面層內(nèi)激發(fā)出光生載流子，在表面層和體內(nèi)形成載流子濃度梯度，于是光生載流子就向體內(nèi)擴散，在擴散的過程中，由于磁場產(chǎn)生的洛倫茲力的作用，電子空穴對（載流子）偏向兩端，產(chǎn)生電荷積累，形成電位差，這就是光磁電效應(yīng)。

   由于各種光電檢測器的工作原理及結(jié)構(gòu)各不相同，因此需用多個參數(shù)來說明其特性。下面討論這些器件共有的常用參數(shù)，以便于更好地選擇和使用。