圖4.18 (a)所示是一個最簡單的光敏電阻偏置電路，島為光敏電阻，RL為負(fù)載電阻，乩為外加偏置電壓，U為光敏電阻兩端電壓，， K4T1G164QE-HCE6為流過光敏電阻RP的電流。在一定范圍內(nèi)光敏電阻阻值琊不隨外電壓阮改變，僅取決于輸入光通量西或光照度E，Gd為暗電導(dǎo)，GP為光電導(dǎo)。若忽略暗電導(dǎo)，則G= GP，并且G= G=SgE或G=Sg@。

   圖4.18光敏電阻偏置電路及伏安特性

   圖4.18 (c)所示是光敏電阻的伏安特性曲線，是一組以輸入光通量為參量的、通過原點的直線組。若流過光敏電阻RP的電流為，，則光敏電阻的耗散功率P=IU，為了不使光敏電阻琊在任何光照下因過熱而燒壞，要求光敏電阻的賣際功率P≤Pmax (Pmax可由產(chǎn)品手冊查出)。根據(jù)/U≤Pmax或，≤Pmax /U，可畫出極限功耗曲線[圖4.18 (c)中的點畫線]。

   圖4.18 (a)所示是一個線性電路，建立負(fù)載線就可以確立對應(yīng)于輸入光通量變化的負(fù)載電阻上的輸出信號。同時，根據(jù)圖4.18 (a)可得出電流丘及負(fù)載電壓UL，當(dāng)負(fù)載凡與外加電壓%確定后，可畫出負(fù)載線，再根據(jù)不同的光照島、奶、嗚可畫出不同光照下光敏電阻的伏安特性曲線，如圖4.18(c)所示。顯然，當(dāng)光通量在口1和函3之間變化時，工作點Q在A、B之間發(fā)生變化，流過光敏電的電流和兩端的電壓都改變。設(shè)光通量變化時，通過光敏電駔的變化欲P引起電流的變化。