硅光電二極管和硅光電三極管的光電流和暗電流均隨溫度而變化，但因有電流放大作用， HD74HC02FP所以硅光電三極管的光電流受溫度影響比硅光電二極管大得多，如圖5.23所示。暗電流的增強(qiáng)使輸出信噪比變差，不利于弱光信號(hào)的探測(cè)，在用硅光電二極管和三極管檢測(cè)弱光信號(hào)時(shí)，要減小溫度的影響，常采取恒溫或補(bǔ)償措施。

   圖5.23光電管的溫度特性

   頻率響應(yīng)特性

   硅光電二極管的頻率特性主要取決于光生載流子的渡越時(shí)間、負(fù)載電阻RL和結(jié)電容Cj的乘積。兆生載流子的渡越時(shí)間包括光生載流子向結(jié)區(qū)擴(kuò)散的時(shí)間和在結(jié)（耗盡層或阻擋層）電場(chǎng)中載流子的漂移的時(shí)間。對(duì)可見光來(lái)說(shuō)，由渡越時(shí)間決定的頻率上限很高，可不考慮，這時(shí)，決定硅光電二極管的頻率響應(yīng)上限因素是結(jié)電容Cj和負(fù)載電阻RL。

   硅光電二極管的頻率響應(yīng)可以近似地用圖5.24所示的交流等效電路來(lái)計(jì)算，圖中，RD為反向偏置時(shí)硅光電二極管的結(jié)電阻；Cj為反向偏置時(shí)的結(jié)電容；RL為負(fù)載電阻；厶為光生電流（電流源）；Rs為硅光電流二極管的串聯(lián)電阻（其值很小，可略去不計(jì)）。進(jìn)一步簡(jiǎn)化的等效電路如圖5.24 (b)所示。