硅光電三極管的頻率響應除了與二極管相同外
發(fā)布時間:2016/1/25 19:31:12 訪問次數(shù):1196
硅光電三極管的頻率響應除了與二極管相同外，還受硅HD74HC02P光電三極管基區(qū)渡越時間和發(fā)射結電容的限制。圖5.25示出了硅光電三極管的基本電路及等效電路圖，為便于分析和計算，在等效電路中不考慮載流子通過基區(qū)所需的時間（即渡越時間）對信號的影響。
為cb結二極管電流源；Cbc為bc結電容；rb。為bc結電阻；Cb。為be結電容：rb。為be結正向電阻；L為放大后的電流源，并且厶= p/p，∥為三極管的電流放大倍數(shù)；Re。為ce極間電阻；RL為負載電阻。
由圖可見，p、Cbe和‰構成寫硅光電二極管的等效電路完全相同的電路。由于rb。>>rb。、Cb。>>Cb。，不考慮‘在rb。及Cbe中的分流作用，于是，硅光電二極管的交流等效電路可以簡化為圖5.25 (b)形式。
選擇合適的負載，經分析和變換后.
由式(5.25)可看出，要增加硅光電三極管的頻率響應，必須使時間常數(shù)%。C乙和qCc。盡可能小。對于墨的選擇同硅光電二極管，因此在實際使用中也要根據(jù)響應速度和輸出幅度來選擇負載電阻R。
硅光電三極管的頻率響應除了與二極管相同外，還受硅HD74HC02P光電三極管基區(qū)渡越時間和發(fā)射結電容的限制。圖5.25示出了硅光電三極管的基本電路及等效電路圖，為便于分析和計算，在等效電路中不考慮載流子通過基區(qū)所需的時間（即渡越時間）對信號的影響。
為cb結二極管電流源；Cbc為bc結電容；rb。為bc結電阻；Cb。為be結電容：rb。為be結正向電阻；L為放大后的電流源，并且厶= p/p，∥為三極管的電流放大倍數(shù)；Re。為ce極間電阻；RL為負載電阻。
由圖可見，p、Cbe和‰構成寫硅光電二極管的等效電路完全相同的電路。由于rb。>>rb。、Cb。>>Cb。，不考慮‘在rb。及Cbe中的分流作用，于是，硅光電二極管的交流等效電路可以簡化為圖5.25 (b)形式。
選擇合適的負載，經分析和變換后.
由式(5.25)可看出，要增加硅光電三極管的頻率響應，必須使時間常數(shù)%。C乙和qCc。盡可能小。對于墨的選擇同硅光電二極管，因此在實際使用中也要根據(jù)響應速度和輸出幅度來選擇負載電阻R。
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相關技術資料- 4-29電容共同作用下工作電極電流電壓步長的幅度
- 4-151970年通過在蒽單晶的兩個側面構筑電極
- 1-25硅光電三極管的頻率響應除了與二極管相同外
公網安備44030402000607
