CCD同其他固體成像器件一樣，其物FF200R12KS4理性能是決定器件優(yōu)劣的重要因素，也是器件理論設(shè)計(jì)的重要依據(jù)。F面對CCD的一些物理性能進(jìn)行介紹和分析。

   電荷轉(zhuǎn)移效率和轉(zhuǎn)移損失率  ·

   電荷轉(zhuǎn)移效率是表征CCD器件性能好壞的一個(gè)重要參數(shù)。設(shè)原有的信號電荷量為Qo，轉(zhuǎn)移到下一個(gè)電極F4的信號電荷量為Qi，其比值.稱為轉(zhuǎn)移效率。沒有被轉(zhuǎn)移的電荷量設(shè)為Q’，則與原信號電荷Qo之比.當(dāng)信號電荷轉(zhuǎn)移n個(gè)電極后的電荷量為Q時(shí)，總轉(zhuǎn)移效率.

   在理想情況下，叩=1，但實(shí)際上電荷在轉(zhuǎn)移中有損失。所以77<1。比如叩2 0.99，經(jīng)過24次轉(zhuǎn)移后，最后輸出的電荷量只有初始電荷量的78%，而經(jīng)過192次轉(zhuǎn)移后只有14%，由此可見，提高轉(zhuǎn)移效率刁是電荷耦合器件能使用的關(guān)鍵。

   影響轉(zhuǎn)移效率的因素很多，如自感應(yīng)電場、熱擴(kuò)散、邊緣電場以及電荷與表面態(tài)及體內(nèi)陷阱的相互作用等，其中最主要的因素是表面態(tài)對信號電荷的俘獲。為此采用“胖霉”的工作模式，即讓“零”信號也有一定的電荷來填補(bǔ)陷阱，這就能提高轉(zhuǎn)移效率和速率。