肖特基勢壘單片式IR-CCD是基于肖特基勢壘的光電子發(fā)射效應(yīng)，G4BC40F-S它是為解決大面積均勻性問題而設(shè)計出來的。其主要是利用硅集成電路工藝在硅基底上制作肖特基勢壘二極管面陣及信息處理部分，構(gòu)成焦平面陣列。它不需要摻深能級雜質(zhì)，可以獲得105個電荷的載荷量，基本結(jié)構(gòu)由沉積在硅上的金屬(Pt或Pd)構(gòu)成，在金屬和P型硅之間形成肖特基勢壘。

   肖特基勢壘光電探測器與其他紅外探測器相比，最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用硅集成電路工藝。此外，硅肖特基焦平面靈敏元之間的均勻性比一般紅外探測器焦平面高100倍以上。其他紅外探測器焦平面均勻性不好是因為載流子壽命、擴(kuò)散長度及合金組分不均勻，而硅肖特基勢壘焦平面是基于熱電子發(fā)射，與上述參數(shù)無關(guān)。器件均勻性好，減少了固定圖像噪聲，使它們能對低對比的紅外景物成像，并需要最少的信息處理，且焦平面機(jī)械性能堅固。