混合式是指紅外探測(cè)器敏感元和讀出咆路分別選用兩種不同的材料制備之后再通過(guò)如倒裝互連等工藝技術(shù)將二者連接構(gòu)成一個(gè)整體使用， G60N100BNTD如圖7.48所示為一種互連方式。圖中所示混合式結(jié)構(gòu)的探測(cè)器為異質(zhì)結(jié)，即在PbTe上制備PbSnTe。上下兩層金屬墊分別同硅和探測(cè)器陣列相連接，墊片間用銦連接。工作時(shí)，輻射透過(guò)PbTe基底照在異質(zhì)結(jié)上，產(chǎn)生信號(hào)，并立即導(dǎo)入CCD。利用HgCdTe光電二極管陣列也可做成這種結(jié)構(gòu)。單片式和混合式的基本結(jié)構(gòu)均如圖7.49所示，只是構(gòu)成方式不同。

   由于互連方式不同，混合式IR-CCD又有多種結(jié)構(gòu)，但基本結(jié)構(gòu)分為前照射結(jié)構(gòu)和背照射結(jié)構(gòu)兩種.

   ①前照射結(jié)構(gòu)：是指探測(cè)器在前面受到照射，電信號(hào)就在這同一面上被抽出，如圖7.50 (a)所示。在這種結(jié)構(gòu)中，探測(cè)器的前面與多路傳輸器面向同一個(gè)方向，電學(xué)引線從探測(cè)器來(lái)，必須越過(guò)探測(cè)器的邊緣區(qū)域到達(dá)多路傳輸器。這種引線方式要求探測(cè)器陣列較薄。由于互連占去了一部分面積，光敏面也減小了，填充因子受到一定影響。

   ②背照射結(jié)構(gòu)：要求鑲嵌探測(cè)器有薄的光敏層，在光敏層上吸收輻射，產(chǎn)生的光生載流子從背面擴(kuò)散到前面，被PN緒檢測(cè)得到信號(hào)如圖7.50 (b)所示。背照射使用外延生長(zhǎng)薄層材料（厚度小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度），用透明襯底。如果用體材料也可以達(dá)到背照射，但必須機(jī)械減薄到小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度，否則將會(huì)產(chǎn)生像元間的串?dāng)_。這種結(jié)構(gòu)中電學(xué)互連很短，是在探測(cè)器和多路傳輸器間直走的。由于沒(méi)有遮蔽，它很容易達(dá)到高的填充因子。這種結(jié)構(gòu)又稱(chēng)為“平面混合焦平面陣列”。目前焦平面陣列大多是基于這種結(jié)構(gòu)。