前置放大器設(shè)計的大致步驟
發(fā)布時間:2016/2/1 20:34:40 訪問次數(shù):821
在光電檢測系統(tǒng)中，由于工作所選光電或熱電探測器不同，要求不同，設(shè)計者G80N60UFD的考慮方法不同，使前置放大器的電路形式差別很大，這里按一般原則介紹大致的步驟：
①測試或計算光電探測器及偏置電路的源電阻Rs。
②從噪聲匹配原則出發(fā)，選擇前置放大器第一級的管型，選擇原則如圖8.2所示。如果源電阻小于100 Q，可采用變壓器耦合；在10Q～l MQ，可選用半導(dǎo)體三極管；在1 kQ～1MQ，可選用運算放大器(OPOMP)；在1 kQ～l GQ，可選用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET);1MQ以上，可選用MOS場效應(yīng)管(MOS-FET)。
③在管型選定后，第一、二級應(yīng)采用噪聲盡可能低的器件，按照最佳源電阻的原則來確定管子的工作點，并進(jìn)行工作頻率、帶寬等參數(shù)的計算及選擇。
在光電檢測系統(tǒng)中，由于工作所選光電或熱電探測器不同，要求不同，設(shè)計者G80N60UFD的考慮方法不同，使前置放大器的電路形式差別很大，這里按一般原則介紹大致的步驟：
①測試或計算光電探測器及偏置電路的源電阻Rs。
②從噪聲匹配原則出發(fā)，選擇前置放大器第一級的管型，選擇原則如圖8.2所示。如果源電阻小于100 Q，可采用變壓器耦合；在10Q～l MQ，可選用半導(dǎo)體三極管；在1 kQ～1MQ，可選用運算放大器(OPOMP)；在1 kQ～l GQ，可選用結(jié)型場效應(yīng)管(JFET);1MQ以上，可選用MOS場效應(yīng)管(MOS-FET)。
③在管型選定后，第一、二級應(yīng)采用噪聲盡可能低的器件，按照最佳源電阻的原則來確定管子的工作點，并進(jìn)行工作頻率、帶寬等參數(shù)的計算及選擇。
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