以上這些步驟是連續(xù)發(fā)生的,每個(gè)步驟的生長(zhǎng)速率是不同的,總的沉積速率由其中最慢的步驟決定,AD7892AR-3REEL7這一步驟稱(chēng)為速率控制步驟。在常壓下,各種不同硅源沉積硅薄膜的速率與溫度有關(guān)。在高溫區(qū)沉積速率對(duì)溫度不太敏感,這時(shí)沉積速率實(shí)際是反應(yīng)劑的分子通過(guò)擴(kuò)散到達(dá)襯底表面的擴(kuò)散速率;在低溫區(qū),沉積速率和溫度之間成指數(shù)關(guān)系。化學(xué)氣相沉積反應(yīng)必須滿(mǎn)足三個(gè)揮發(fā)性條件。

   (1)在沉積溫度下,反應(yīng)劑必須具備足夠高的蒸氣壓,使反應(yīng)劑以合理的速度引入反應(yīng)室。如果反應(yīng)劑在室溫下都是氣體,則反應(yīng)裝置可以簡(jiǎn)反應(yīng)劑揮發(fā)性很低,則需要用攜帶氣體將反應(yīng)劑引入反應(yīng)室,在這種情況下,接反應(yīng)器的氣體管路需要加熱,以免反應(yīng)劑凝聚。

   (2)除沉積物質(zhì)外,反應(yīng)副產(chǎn)物必須是揮發(fā)性的。

   (3)沉積物本身必須具有足夠低的蒸氣壓,使反應(yīng)過(guò)程中的沉積物留在加熱基片上。