沉積也叫積淀,是指在晶TDA1519C/N3/S460圓上沉積一層膜的工藝。沉積薄膜的工藝主要包括化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積。

   化學(xué)氣相沉積(Chcmical Vapour Dcposition,CVD)是指單獨(dú)綜合地利用熱能、輝光放電等離子體、紫外光照射、激光照射或其他形式的能源,使氣態(tài)物質(zhì)在固體的熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì),并沉積在晶圓片表面上的一種薄膜制備技術(shù)。

   目前在集成電路的制造中,除了某些薄膜(尤其是金屬膜)因特殊原因外,其他所有薄膜材料均可以用CVD法來(lái)沉積。主要的介電材料有s⒑2、si3N4、硼磷硅玻璃(Boro―Pho叩ho―silic菠c一C△1ass,BPSG)及磷硅玻璃(Phospho―silic狨c一Glass,PsG)等;導(dǎo)體有硅化鎢(Wsk)、鎢(W)及多晶硅等,半導(dǎo)體有硅、砷化鎵(GaAs)和磷化鎵(GaP)等。

   用CVD法沉積薄膜,實(shí)際上是從氣相中生長(zhǎng)晶體的物理一化學(xué)過(guò)程。對(duì)于氣體不斷流動(dòng)的反應(yīng)系統(tǒng),其生長(zhǎng)過(guò)程可分為以下幾個(gè)步驟:參加反應(yīng)的混合氣體被輸送到襯底表面,反應(yīng)物分子由主氣流擴(kuò)散到襯底表面,反應(yīng)物分子吸附在襯底表面上,吸附分子與氣體分子之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成圃態(tài)物質(zhì),并沉積在襯底表面。反應(yīng)副產(chǎn)物分子從襯底表面解析。副產(chǎn)物分子由襯底表面擴(kuò)散到主氣體流中,然后被排出沉積區(qū)。

   以上這些步驟是連續(xù)發(fā)生的,每個(gè)步驟的生長(zhǎng)速率是不同的,總的沉積速率由其中最慢的步驟決定,這一步驟稱為速率控制步驟。

在常壓下,各種不同硅源沉積硅薄膜的速率與溫度有關(guān)。在高溫區(qū)沉積速率對(duì)溫度不太敏感,這時(shí)沉積速率實(shí)際是反應(yīng)劑的分子通過(guò)擴(kuò)散到達(dá)襯底表面的擴(kuò)散速率;在低溫區(qū),沉積速率和溫度之間成指數(shù)關(guān)系。