增加高溫處理時間或者氧化層中磷的濃度
發(fā)布時間:2016/6/11 17:37:53 訪問次數(shù):971
提高溫度,增加高溫處理時間或者氧AD7892BN-3化層中磷的濃度,都會增加薄膜的流動性。當PsG中磷的濃度低于6%(重量百分比)時,流動性變得很差。BPsG(硼磷硅玻璃)之所以能替代PsG,因為它可以在較低的溫度下就能回流平坦化。隨著CMP的出現(xiàn),回流平坦化已不是一個主要的問題,但PSG比BPsG有更好的吸雜作用,所以現(xiàn)在PSG的使用有回升的趨勢。
把△05加入到s⒑2中相對比較容易,可以通過調(diào)整⒏H4與PH3的比率來控制沉積薄膜中s⒑2與△05的比例。PsG在高磷情況下,有很強的吸潮性,所以氧化層中的磷最好限制在6%~8%,以減少磷酸的形成,從而減少對其下方鋁的腐蝕。快速熱處理過程也可以成功地實現(xiàn)PsG回流。如果PsG用作最終的鈍化層(不需要回流平坦化),PSG中允許的磷的最大濃度為6%。采取這個措施可以防止磷酸的形成,尤其是當與Al接觸的時候。
提高溫度,增加高溫處理時間或者氧AD7892BN-3化層中磷的濃度,都會增加薄膜的流動性。當PsG中磷的濃度低于6%(重量百分比)時,流動性變得很差。BPsG(硼磷硅玻璃)之所以能替代PsG,因為它可以在較低的溫度下就能回流平坦化。隨著CMP的出現(xiàn),回流平坦化已不是一個主要的問題,但PSG比BPsG有更好的吸雜作用,所以現(xiàn)在PSG的使用有回升的趨勢。
把△05加入到s⒑2中相對比較容易,可以通過調(diào)整⒏H4與PH3的比率來控制沉積薄膜中s⒑2與△05的比例。PsG在高磷情況下,有很強的吸潮性,所以氧化層中的磷最好限制在6%~8%,以減少磷酸的形成,從而減少對其下方鋁的腐蝕。快速熱處理過程也可以成功地實現(xiàn)PsG回流。如果PsG用作最終的鈍化層(不需要回流平坦化),PSG中允許的磷的最大濃度為6%。采取這個措施可以防止磷酸的形成,尤其是當與Al接觸的時候。
上一篇:多晶硅薄膜
上一篇:PsG的主要優(yōu)點
熱門點擊
- 化學(xué)氣相沉積的主要反應(yīng)類型
- 設(shè)備履歷表
- 元器件引腳成型:彎曲要求
- 針孔或吹孔
- 雜質(zhì)擴散后結(jié)深的測量
- 三球定律
- 金屬離子
- 質(zhì)量目標應(yīng)包括滿足產(chǎn)品要求所需的內(nèi)容
- 黑氧化/棕化工序
- 預(yù)熱溫度:松香基助焊劑實測
推薦技術(shù)資料
- 英特爾酷睿Ultra處理器驅(qū)動
- 散熱片 Crucial P31
- 三星F-DVFS(全動態(tài)電壓頻
- 業(yè)界首款12納米級LPDDR5X DRAM
- 移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
- 48GB 16層HBM3E結(jié)構(gòu)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究