N型半導(dǎo)體中摻入的雜質(zhì)為磷或其他五價(jià)元素,磷原子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中原子并構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí), AD7892BR-1多余的第五個(gè)價(jià)電子很容易擺脫磷原子核的束縛而成為自由電子,于是半導(dǎo)體中的自由電子數(shù)目大量增加,自由電子成為多數(shù)載流子,空穴則成為少數(shù)載流子。

   摻雜的目的是形成特定導(dǎo)電能力的材料區(qū)域,包括N型或P型半導(dǎo)體層和絕緣層,是制作各種半導(dǎo)體器件和IC的基本工藝。經(jīng)過摻雜,原材料的部分原子被雜質(zhì)原子代替。材料的導(dǎo)電類型決定于雜質(zhì)的化合價(jià)。摻雜可與外延生長同時(shí)進(jìn)行,也可在其后。例如,雙極型硅IC的摻雜過程主要在外延之后,而大多數(shù)GaAs及InP器件和C的摻雜與外延同時(shí)進(jìn)行。

   擴(kuò)散和離子注入是半導(dǎo)體摻雜的兩種主要工藝,兩者都被用來制作分立器件與集成電路,互補(bǔ)不足,相得益彰。擴(kuò)散是較早時(shí)期采用的摻雜工藝,并沿用至今,而離子注入是20世紀(jì)60年代后發(fā)展起來的一種在很多方面都優(yōu)于擴(kuò)散的摻雜工藝。離子注入工藝大大推動(dòng)了集成電路的發(fā)展,使集成電路的生產(chǎn)進(jìn)入超大規(guī)模時(shí)代,是應(yīng)用最廣泛的主流摻雜工藝。