雖然鎳硅化物對比之前的硅化物具有很多優(yōu)點(diǎn),但是它對制程的控制和整合也提出了更高的要求。 EL5421CY鎳硅化物隨著溫度的升高具有不同的化學(xué)組成。低溫時(shí)首先形成的是高阻Ni2Si,隨著溫度的升高,低阻的Ni⒏開始出現(xiàn)。Ⅺsi相在高溫下不穩(wěn)定,在高于700℃時(shí)會因?yàn)閳F(tuán)聚和相變而生成高阻的NiS煬相,因此對隨后的后段工藝中各個步驟的最高溫度產(chǎn)生了限制。在№中摻入少量Pt能提高Ns的高溫穩(wěn)定性。

   鎳硅化物整合的另一個挑戰(zhàn)是接觸面漏電流的增大,其原因是鎳硅化物與硅之間的存在缺陷或界面過于粗糙。因此,對于№金屬鍍膜之前晶片表面的清潔狀況及缺陷控制的要求十分嚴(yán)格。如果表面清潔狀況不理想,很容易形成諸如針狀等缺陷,從而造成器件漏電。另外,界面形貌的控制對漏電流也至關(guān)重要。尖峰退火具各限制擴(kuò)散的能力,從而能控制鎳硅化物與硅接口間的形貌。