鎳硅化物(NiSi)。對于45nm及其以下技術(shù)節(jié)點的半導體工藝過程,鎳硅化物(NiSi)正成為接觸應用上的選擇材料。 EL5412IRZ相對于之前的鈦鈷硅化物而言,鎳硅化物具有一系列獨特的優(yōu)勢。

   鎳硅化物仍然沿用之前硅化物類似的兩步退火工藝,但是退火溫度有了明顯降低(<600℃),這樣就大大減少對器件已形成的超淺結(jié)的破壞。從擴散動力學的角度來說,較短的退火時間可以有效地抑制離子擴散。因此,尖峰退火(Spikcannea1)越來越被用于鎳硅化物的第一次退火過程。該退火只有升降溫過程而沒有保溫過程,因此能大大限制已摻雜離子在硅化物形成過程中的擴散。

   研究表明,線寬在40nm以下的鈷硅化物的電阻明顯升高,而鎳硅化物即使在3Onm以下都沒有出現(xiàn)線寬效應。另外,鎳硅化物的形成過程對源/漏硅的消耗較少,而靠近表面的硅剛好是摻雜濃度最大的區(qū)域,因而對于降低整體的接觸電阻十分有利。鎳硅化物的反應過程是通過鎳原子的擴散完成的,因此不會有源漏和柵極之間的短路。同時鎳硅化物形成時產(chǎn)生的應力最小。表2,12總結(jié)了鎳硅化物各項性能的優(yōu)缺點對比。