器件柵極形成后進行多晶氧化,在柵極OP220GSZ多晶上熱生長一層si02。接著采用5#光刻版進行NMOs輕摻雜漏(Ⅱghtly Dopcd Drain,LDD)的光刻,隨后進行離子注入量級,形成NMOs的輕摻雜的源漏區(qū)域(N LDD),如圖4.9所示。注入元素為As,劑量為1013量級,注入的能量比較低,因此As被注入的位置比較淺。為防止多晶硅柵的遮蔽,注入時圓片需要旋轉不同的角度。最后去除光刻膠并對圓片進行清洗。

   圖4,9 NLDD注入

   下一步采用解光刻版進行PMOs輕摻雜漏(P LDD)的光刻以及離子注入,同樣采用低能量注入,注入元素為B,劑量為1013量級,如圖4.10所示。由于B的擴散比As快,因此P LDD的注入能量要比N LDD的注入能量低,注入時同樣旋轉圓片以消除多晶硅柵的遮蔽效應。最后去除光刻膠并對圓片進行清洗。