集成電路的主要失效模式有柵介層擊穿短路、電參數(shù)退化、金屬化互連線開路、AD9832BRUZ芯片燒毀、晶閘管閉環(huán)效應(yīng)、電路漏電、電路無功能、存儲數(shù)據(jù)丟失、保護(hù)電路燒毀、二次擊穿和鋁穿透,下面分別給以介紹。

   (1)柵介層擊穿短路。隨著超大規(guī)模集成電路器件尺寸的等比例縮小,在器件生產(chǎn)過程中薄柵氧化層上的高電場是影響器件成品率和可靠性的主要因素。當(dāng)有電荷注入氧化層時,會產(chǎn)生結(jié)構(gòu)變化(陷阱、界面態(tài)等),引起局部電流的增加,當(dāng)有足夠的電荷注入進(jìn)氧化層時會產(chǎn)生熱損傷,導(dǎo)致氧化層有一條低的電阻通路,在介質(zhì)層上產(chǎn)生不可恢復(fù)的漏電,即發(fā)生柵介層的擊穿短路,這種擊穿可以在介層

上施加電流或者施加高電場來獲得。