Si3N4薄膜
發(fā)布時(shí)間:2016/6/11 17:26:55 訪問次數(shù):1413
氮化硅(silicon Nitidc)薄膜是無定AD7892ARZ-3形的絕緣材料,在半導(dǎo)體器件及集成電路制作工藝中主要用做Sioo的刻蝕掩膜,它在ULsI中的主要應(yīng)用如下:
(1)集成電路的最終鈍化層和機(jī)械保護(hù)層(尤其是塑料封裝的芯片);
(2)不易被氧滲透,進(jìn)行場(chǎng)氧化層制作時(shí),作為硅選擇性氧化的掩蔽膜;
(3)DRAM電容中作為0―N~0疊層介質(zhì)中的一種絕緣材料;
(4)作為MOsFE飛的側(cè)墻(例如,用于形成LDD結(jié)構(gòu)的側(cè)墻以及形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物過程中的鈍化層側(cè)墻);
(5)作為淺溝隔離的CMP停止層。
由于氮化硅有較高的介電常數(shù)(為6~9,而CⅤD二氧化硅只有4.2左右),如果代替si02作為導(dǎo)體之間的絕緣層,將會(huì)造成較大的寄生電容,從而降低了電路的速度,因此不能用于層間的絕緣層。
氮化硅(silicon Nitidc)薄膜是無定AD7892ARZ-3形的絕緣材料,在半導(dǎo)體器件及集成電路制作工藝中主要用做Sioo的刻蝕掩膜,它在ULsI中的主要應(yīng)用如下:
(1)集成電路的最終鈍化層和機(jī)械保護(hù)層(尤其是塑料封裝的芯片);
(2)不易被氧滲透,進(jìn)行場(chǎng)氧化層制作時(shí),作為硅選擇性氧化的掩蔽膜;
(3)DRAM電容中作為0―N~0疊層介質(zhì)中的一種絕緣材料;
(4)作為MOsFE飛的側(cè)墻(例如,用于形成LDD結(jié)構(gòu)的側(cè)墻以及形成自對(duì)準(zhǔn)硅化物過程中的鈍化層側(cè)墻);
(5)作為淺溝隔離的CMP停止層。
由于氮化硅有較高的介電常數(shù)(為6~9,而CⅤD二氧化硅只有4.2左右),如果代替si02作為導(dǎo)體之間的絕緣層,將會(huì)造成較大的寄生電容,從而降低了電路的速度,因此不能用于層間的絕緣層。
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