①瞬時(shí)擊穿,電壓一加上去,電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到或超過該介質(zhì)材料所能承受的臨界場(chǎng)強(qiáng), AD9851BRS介質(zhì)中流過的電流很大而馬上擊穿,叫本征擊穿。實(shí)際柵氧化層中,某些局部位置厚度較薄,或者存在空洞(針孔或盲孔)、裂縫、雜質(zhì)、纖維絲等疵點(diǎn),電場(chǎng)增強(qiáng),它引起的氣體放電、電熱分解等產(chǎn)生介質(zhì)漏電甚至擊穿,由這些缺陷所引起的介質(zhì)擊穿叫非本征擊穿。

   ②與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿(△mc Depcndent Dielectric Brcakdown,TDDB),施加的電場(chǎng)低于柵氧的本征擊穿場(chǎng)強(qiáng),并未引起本征擊穿,但經(jīng)歷一段時(shí)間后仍發(fā)生了擊穿。這是由于施加電應(yīng)力過程中,氧化層內(nèi)產(chǎn)生并積聚了缺陷(陷阱)的緣故。

   在氧化層較厚時(shí),柵極材料采用鋁,這時(shí)柵氧擊穿有兩種形式。由鋁的熔點(diǎn)低且鋁層很薄,柵氧某處發(fā)生擊穿時(shí),生成的熱量將擊穿處鋁層蒸發(fā)掉,使有缺陷的擊穿處與其他完好的so2層隔離開來,這叫自愈式擊穿。另一種是毀壞性擊穿,鋁徹底進(jìn)入氧化層,使氧化層的絕緣作用完全喪失,產(chǎn)生短路現(xiàn)象。

   當(dāng)柵氧較薄時(shí),柵電極采用多晶硅材料或金屬制作,柵氧的擊穿與硅中雜質(zhì)、氧化工藝、柵極材料、施加電場(chǎng)大小及極性等因素有關(guān),擊穿的情況可分為A、B、C三種模式。A模式的場(chǎng)強(qiáng)一般在1MV/cm以下,它是由于柵氧中存在針孔引 起的。B模式的擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于2MV/cm小于8MV/cm,一般認(rèn)為是由于Na+沾污等缺陷引起的。C模式的擊穿場(chǎng)強(qiáng)大于8MWcm,為本征擊穿。