當(dāng)器件的特征尺寸到0.13um或更小時,布線間距進一步縮小,布線引起的電阻明顯增大,EL5423CRZ因布線產(chǎn)生的傳輸延遲將變得更加顯著,難于滿足器件高速化的要求。要改善布線產(chǎn)生的傳輸延遲,必須降低布線電阻,同時還需降低布線電容。在傳統(tǒng)鋁金屬導(dǎo)線無法突破瓶頸的情況下,經(jīng)過多年的研究發(fā)展,銅/低庀介質(zhì)的集成系統(tǒng)已經(jīng)開始成為超大規(guī)模集成電路制造的主流工藝技術(shù)。由于銅的電阻率比鋁小,可在較小的面積上承載較大的電流,芯片上的電路可以做得更密集,效能可提升30%~們%。而且,由于銅的抗電子遷移能力比鋁好,因此可減輕銅互連線的電遷移作用,提高芯片的可靠性,而低庀介質(zhì)材料的使用可降低布線引起的電容,提高器件的工作速度。