如何處理硅片表面的化學(xué)物質(zhì)一直以來(lái)是清洗工藝所面臨的挑戰(zhàn)。一般地OP262HRU-REEL ,柵氧化前的清洗用稀釋的氫氟酸溶液,并將其作為最后一步化學(xué)品的清洗。這叫做HF結(jié)尾。HF結(jié)尾的表面是憎水性的,同時(shí)對(duì)低量的金屬污染是鈍化的。然而,憎水性的表面不容易被烘干,經(jīng)常殘留水印。另一個(gè)問(wèn)題是增強(qiáng)了顆粒的附著,而且還會(huì)使電鍍層脫離表面。

   RCA清洗。20世紀(jì)ω年代中,Wamcr Kem,一名RCA公司的工程師,開(kāi)發(fā)出了一種兩步的清洗工藝,以除去晶圓表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)殘留物。這一工藝被證明非常有效,而它的配方也以簡(jiǎn)單的“RCA清洗”為人們熟知。只要提到RCA清洗,就意味著過(guò)氧化氫與酸或堿同時(shí)使用。1號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗液(sC-1)的化學(xué)配料為NH40ⅣH2o/H20(氫氧化銨/過(guò)氧化氫/去離子水),這三種化學(xué)物質(zhì)按1∶⒈5到⒈⒉7的配比混合。2號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗液(sC―2)的組分是HCl/H202/H20(鹽酸/過(guò)氧化氫/去離子水),按1∶l∶6至刂l∶2∶8的配比混合。這兩種化學(xué)配料都是以過(guò)氧化氫(H202)為基礎(chǔ),習(xí)慣上在75~85℃之間使用,存放時(shí)間為10~20min。

   1號(hào)標(biāo)準(zhǔn)清洗液(sC―D是堿性溶液,能去除顆粒和有機(jī)物質(zhì)。對(duì)于顆粒,SC-1濕法清洗主要通過(guò)氧化顆�；螂妼W(xué)排斥起作用。過(guò)氧化氫是強(qiáng)烈氧化劑,能氧化表面和顆粒,顆粒上的氧化層能提供消散機(jī)制,分裂并溶解顆粒,破壞顆粒和硅片表面之間的附著力,使顆粒變得可溶于sC―1溶液而脫離表面,如圖3.10至圖3.11所示。