有源區(qū)的形成
發(fā)布時(shí)間:2016/6/18 20:43:02 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):3619
首先,在P型硅襯底(St】b蚍atc)/P型外延(Epitaxial)層熱氧化生長(zhǎng)一層二氧化硅(Sio2),OP2177ARZ-REEL7該層二氧化硅稱(chēng)為襯墊氧化層(Pad oxide),其作用是為了緩解隨后生長(zhǎng)的氮化硅(Si3N4)與硅襯底之間的應(yīng)力,這是因?yàn)镾i3N4和硅之間的晶格常數(shù)不同,兩者之間存在著較大的應(yīng)力,若si3N4和si直接接觸,則易造成硅片破裂。接著再沉積Si3N4。隨后涂膠并使用1#光刻版進(jìn)行曝光和顯影,顯影后器件隔離區(qū)域的光刻膠被去掉。接著腐蝕Si3N4、Sio2和Si,此時(shí)未被光刻膠覆蓋的區(qū)域的si3N4、Sio2和Si均被腐蝕掉,在圓片上形成了硅的淺槽,如圖4,3所示。
圖43 sTI腐蝕后器件的剖面圖
首先,在P型硅襯底(St】b蚍atc)/P型外延(Epitaxial)層熱氧化生長(zhǎng)一層二氧化硅(Sio2),OP2177ARZ-REEL7該層二氧化硅稱(chēng)為襯墊氧化層(Pad oxide),其作用是為了緩解隨后生長(zhǎng)的氮化硅(Si3N4)與硅襯底之間的應(yīng)力,這是因?yàn)镾i3N4和硅之間的晶格常數(shù)不同,兩者之間存在著較大的應(yīng)力,若si3N4和si直接接觸,則易造成硅片破裂。接著再沉積Si3N4。隨后涂膠并使用1#光刻版進(jìn)行曝光和顯影,顯影后器件隔離區(qū)域的光刻膠被去掉。接著腐蝕Si3N4、Sio2和Si,此時(shí)未被光刻膠覆蓋的區(qū)域的si3N4、Sio2和Si均被腐蝕掉,在圓片上形成了硅的淺槽,如圖4,3所示。
圖43 sTI腐蝕后器件的剖面圖
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