多層結(jié)構(gòu)。采用以OMI-SS-112LM金為基材的多層金屬化層,如Pt2S圮-△~Pt―Au層,其中Pt2s圮與硅能形成良好的歐姆接觸。鈦是黏附層,鉑是過渡層,金做導(dǎo)電層。

   對于微波器件,常采用Al―Cr―Au及Al―Ⅺ―Au層,多層金屬化使工藝復(fù)雜,提高了成本。

   覆蓋介質(zhì)膜。由于如PSG、A1203或⒐3N4等介質(zhì)能抑制表面擴散,壓強效應(yīng)和熱沉效應(yīng)的綜合影響,延長鋁條的中位壽命。

   應(yīng)力遷移

   當(dāng)鋁條寬度縮減到3um以下時,經(jīng)過溫度循環(huán)或高溫處理,也會發(fā)生鋁條開路斷裂失效。這時空洞多發(fā)生在晶粒邊界處,這種開路失效叫應(yīng)力遷移,以與通電后鋁條產(chǎn)生電遷移的失效區(qū)別。鋁條越細,應(yīng)力遷移失效越嚴重。

   半導(dǎo)體集成電路中,鈍化層是圓晶制造工藝的最后一步,用于保護芯片的表面。形成鈍化層的溫度高達數(shù)百攝氏度。這個過程中,鋁互連線和鈍化層或襯底氧化層之間的熱膨脹系數(shù)不同,導(dǎo)致熱應(yīng)力產(chǎn)生。這種應(yīng)力由空隙從晶粒內(nèi)部擴散到晶界(一般稱之為“爬行”現(xiàn)象),為緩和這種應(yīng)力,鋁原子可發(fā)生位錯、滑動等移動,致使某些位置產(chǎn)生楔形的空隙或撕裂形的空隙。