芯片工藝結(jié)束后的測量指的是完成工藝流片任務(wù)后,通過專門設(shè)計的微電子測試結(jié)構(gòu),測量芯片加工過程中各主要工序的工藝參數(shù)。 DAC08ESZ-REEL離線測試和分析指的是為了獲得更充分的工藝參數(shù)數(shù)據(jù),在工藝加工結(jié)束以后進行進一步的測試和分析。最典型的分析技術(shù)是微分析,即對器件中比最小尺寸還小一個數(shù)量級的微區(qū)的形貌、結(jié)構(gòu)、組分和微量雜質(zhì)進行分析和測試。在VLsI生產(chǎn)中應(yīng)用較廣的微分析技術(shù)有SEM(掃描電子顯微鏡)、TEM(透射電子顯微鏡)、 sIMS(二次離子質(zhì)譜)、sAM(掃描俄歇微探針)、EB(電子束探針)。

PCM壩刂試結(jié)構(gòu)的作用是檢測芯片生產(chǎn)階段各工序的工藝質(zhì)量、參數(shù)分布及工藝中隨機缺陷的情況。PCM測試結(jié)構(gòu)與電路經(jīng)歷相同的工藝過程,通過對這些圖形進行簡單的電學(xué)測量(一般為直流測量)或直接用顯微鏡觀察,就可以提取到有關(guān)生產(chǎn)工藝質(zhì)量、單元器件或電路的電參數(shù)。因此PCM測量是芯片工藝結(jié)束后的測量。

     PCM測試結(jié)構(gòu)包括薄層電阻、金屬和半導(dǎo)體接觸、通孔、柵氧化層、場氧化層、金屬互連線、各種結(jié)構(gòu)單管等,代表和反映了各工藝過程的影響。PCM的設(shè)計要滿足一定的原則:測試結(jié)構(gòu)尺寸與集成電路中的尺寸對應(yīng);一定要包含影響工藝質(zhì)量的關(guān)鍵工序工藝參數(shù)檢測圖形;為了滿足檢測特定的工藝參數(shù),需要設(shè)計一些實際電路中并不采用的測試結(jié)構(gòu)圖形。

   PCM技術(shù)針對的主要是工藝質(zhì)量,基本的技術(shù)途徑為測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝流片、電測、數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析。