天線效應(yīng)的設(shè)計(jì)規(guī)則是指允許的金屬面積和柵介質(zhì)的面積之比
發(fā)布時(shí)間:2016/6/29 21:23:43 訪問(wèn)次數(shù):716
天線效應(yīng)的設(shè)計(jì)規(guī)則是指允許的金屬面積和柵介質(zhì)的面積之比,該比例由每層金屬各自確定。HCPL-2630-000E設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的面積為所有連接到柵且沒(méi)有連接到擴(kuò)散區(qū)的總面積。如果工藝支持不同的柵氧,如厚柵氧和薄柵氧,則每種柵氧都有各自不同的規(guī)則。對(duì)于0,18um cMOS工藝,當(dāng)不采用二極管消除刻蝕工藝產(chǎn)生的電荷時(shí),和多晶相連的金屬面積應(yīng)在所接?xùn)琶娣e的400倍以下。而當(dāng)柵極與大塊的多晶相連時(shí),多晶的面積應(yīng)在所接?xùn)琶娣e的2O0倍以下。
柵氧漏電,盡管對(duì)功耗不利,但對(duì)天線效應(yīng)是有利的。柵氧漏電可以防止電荷積累達(dá)到擊穿。和較厚的柵介質(zhì)相比,薄的柵介質(zhì)較不易發(fā)生損壞。因?yàn)楫?dāng)柵氧變薄,漏電是呈指數(shù)上升的,而擊穿電壓是線性下降的。
天線效應(yīng)的設(shè)計(jì)規(guī)則是指允許的金屬面積和柵介質(zhì)的面積之比,該比例由每層金屬各自確定。HCPL-2630-000E設(shè)計(jì)規(guī)則中定義的面積為所有連接到柵且沒(méi)有連接到擴(kuò)散區(qū)的總面積。如果工藝支持不同的柵氧,如厚柵氧和薄柵氧,則每種柵氧都有各自不同的規(guī)則。對(duì)于0,18um cMOS工藝,當(dāng)不采用二極管消除刻蝕工藝產(chǎn)生的電荷時(shí),和多晶相連的金屬面積應(yīng)在所接?xùn)琶娣e的400倍以下。而當(dāng)柵極與大塊的多晶相連時(shí),多晶的面積應(yīng)在所接?xùn)琶娣e的2O0倍以下。
柵氧漏電,盡管對(duì)功耗不利,但對(duì)天線效應(yīng)是有利的。柵氧漏電可以防止電荷積累達(dá)到擊穿。和較厚的柵介質(zhì)相比,薄的柵介質(zhì)較不易發(fā)生損壞。因?yàn)楫?dāng)柵氧變薄,漏電是呈指數(shù)上升的,而擊穿電壓是線性下降的。
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