氧化層的完整性是半導(dǎo)體工業(yè)中最復(fù)雜的可靠性問題,因?yàn)樵S多與工藝有關(guān)的過程都會(huì)影響到氧化層的完整性。M0268SJ200這些因素包括針孔、固定電荷、可動(dòng)離子、電子/空穴陷阱、界面態(tài)、雜質(zhì)、濺射工藝在氧化層界面引入的正電荷、si―o懸掛鍵等。

   當(dāng)用多晶作柵電極時(shí),由于受到在柵電極內(nèi)可能形成耗盡層和電極功函數(shù)差的影響,在測試時(shí)實(shí)際作用在氧化層的電壓可能不同于施加在柵電極上的電壓,實(shí)際的擊穿電壓可能與測出的擊穿電壓不一致。

   MOS電容參數(shù)和寄生因素

   柵電極和硅襯底之間的功函數(shù)差與柵電極和襯底的摻雜有關(guān)。對(duì)襯底摻雜濃度為1016cm3的N型硅,若電極是鋁電極,典型的功函數(shù)差是一0.25V。工藝上常用重摻雜的多晶硅代替鋁作柵電極,典型的不同電極材料的功函數(shù)差和在硅襯底上簡并摻雜的多晶硅的功函數(shù)差可在相關(guān)文獻(xiàn)上查找到。如果多晶不是簡并摻雜的,功函數(shù)差是多晶中摻雜激活能的函數(shù)。