一次性可編程ROM
發(fā)布時間:2016/7/5 20:36:34 訪問次數(shù):1760
一次性可編程ROM
一次性可編程ROM(oTP),也稱現(xiàn)場可編程ROM(PRoM),Microchip公司的PIC系列芯片就是典型應(yīng)用。 EALNSC410-100AC這種ROM的內(nèi)容可以由用戶寫入,但只能寫入一次,容量可以從512B到32KB不等。
片內(nèi)Flash存儲器配置
單片機內(nèi)帶F1ash,典型芯片為Atmel公司的89C51系列。Flash存儲器是一種可擦除、可改寫的ROM,具有編程速度快,容量大,可以反復改寫,且價格比片內(nèi)EPROM的單片機便宜的優(yōu)點。
鐵電存儲技術(shù)FRAM
FRAM技術(shù)是利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的,這是近期最新的存儲技術(shù)。因為FRAM技術(shù)保持數(shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新,所以FRAM的特點是速度極快,功耗極低,擦除次數(shù)高,TI公司的MsP43flFR57xx系列是首款采用該技術(shù)的單片機。
一次性可編程ROM
一次性可編程ROM(oTP),也稱現(xiàn)場可編程ROM(PRoM),Microchip公司的PIC系列芯片就是典型應(yīng)用。 EALNSC410-100AC這種ROM的內(nèi)容可以由用戶寫入,但只能寫入一次,容量可以從512B到32KB不等。
片內(nèi)Flash存儲器配置
單片機內(nèi)帶F1ash,典型芯片為Atmel公司的89C51系列。Flash存儲器是一種可擦除、可改寫的ROM,具有編程速度快,容量大,可以反復改寫,且價格比片內(nèi)EPROM的單片機便宜的優(yōu)點。
鐵電存儲技術(shù)FRAM
FRAM技術(shù)是利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的,這是近期最新的存儲技術(shù)。因為FRAM技術(shù)保持數(shù)據(jù)不需要電壓,也不需要像DRAM一樣周期性刷新,所以FRAM的特點是速度極快,功耗極低,擦除次數(shù)高,TI公司的MsP43flFR57xx系列是首款采用該技術(shù)的單片機。
相關(guān)技術(shù)資料- 7-5一次性可編程ROM
- 相關(guān)IC型號
- EALNSC410-100AC
- 暫無最新型號
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