本書包括三部分。第一部HCPL-3120-500E分是外延技術,包括LED材料外延和檢測技術、藍綠光LED外延結構設計與制備、黃紅光LED外延結構設計與制備,從外延和檢測設備到LED外延結構及外延生長技術進行了全面介紹。第二部分是芯片技術,包括LED芯片結構及制備工藝、藍綠光LED芯片高光提取技術、紅黃光LED芯片結構與制備工藝,從LED芯片制備基本工藝技術到整體工藝流程,以及先進的高光效結構,涵蓋了GaN和AlGaInP兩個材料系的芯片結構特性及制備過程,介紹了高壓LED結構及制備技術。第三部分是LED封裝技術,從封裝的目的、光學設計和熱學設計方面對封裝技術進行了介紹。

   本書第1章1.1~l。4節(jié)由張偉博士編著。l。5節(jié)由王軍喜研究員編著;主要介紹LED材料外延與檢測技術,內(nèi)容包括LED材料結構、LED外延生長、MOCVD設備、MOCVD源材料,以及Ⅲ族氮化物異質(zhì)材料晶體質(zhì)量與電學性質(zhì)測試分析的部分手段與方法,如高分辨x射線衍射、光致發(fā)光譜、原子力顯微鏡、透射電鏡、電壓一電容以及霍爾測試。本書第2章由張寧博士編著。主要介紹藍綠光LED夕卜延結構設計與材料生長,Ⅲ族氮化物藍綠光LED的基本物理性質(zhì)、能帶結構設計與材料優(yōu)化生長,主要包括氮化物材料的晶體結構、極化效應、異質(zhì)結的能帶結構以及載流子輸運等物理基礎,重點講述了藍綠光LED的多量子阱與電子阻擋層能帶結構的設計與p型材料的優(yōu)化生長。

   第3章李建軍教授編著。主要介紹紅黃光LED外延結構設計與材料生長,內(nèi)容包括AlGaInP LED基本結構、外延材料選取、外延生長技術,以及共振腔LED結構設計及外延技術。