根據表1砭中氫化物的分子量,可以計算每次外延生長氫化物的使用量。例如,BAS40生長過程中P比的流量為⒛0sccm,則PHl的mol流量為⒛0/22414=8,9×103mol/min,質量流量為8,9×1Cl3mol/min×34g/mol=0.3g/min。如果照此流量通PH3的時間為2小時,則PH3的使用量為0,3g/min×120min=36g。

   MOCVD中的載氣又稱運載氣體,其作用是將參與外延的源材料快速輸運到反應室,對載氣的基本要求是純度高、成本低,且不參與外延過程中的化學反應。常用于MOCVD的載氣有H2和惰性氣體N2和Ar等。相對于N2來說,H2作為載氣在MOCVD中的應用更為廣泛,其主要原因是比更容易純化。經鈀管純化后的比純度在8N以上,且比具有還原性、便于清潔管道。近年來,因氮氣分子量較大,載氣輸運效果好,己被采用作為GaN基LED外延生長時Mo源供應系統的主要載氣。而在反應腔外延生長中,不同的外延單層結構需要不同的氫氣和氮氣混合比例,這樣,通常在主管路進到反應腔時,會根據生長需 要采用不同配比的氫氣和氮氣。在生產安全上,需要注意的是H2遇空氣可能形成易燃、易爆的混合氣,必須嚴格按規(guī)范進行操作和使用。N2的作用除了和比一樣作為載氣外,還利用它的惰性進行安全操作和維護處理。使用N2時,一定要配置有效的通風和排氣,以免缺氧窒息。