AlGaN電子阻擋層
發(fā)布時間:2016/7/31 16:38:09 訪問次數(shù):3722
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應(yīng)也會導(dǎo)致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認(rèn)為是造成LED在大電流注入時效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說明多量子阱內(nèi)的極化場阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對Ⅲ族氮化物材料中的極化場加以調(diào)控,避短揚長,勢必將促進(jìn)氮化物半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用。利用極化效應(yīng)改善氮化物半導(dǎo)體器件的性能或開發(fā)新型器件己成為一個很有潛力的研究方向。
AlGaN電子阻擋層(Electron blOcking layer,EBL)中存在的極化效應(yīng)也會導(dǎo)致能帶彎曲。在EBL與有源層的最后一個壘的界面處,EBL材料的能帶向下彎曲,造成電子泄露。 AF60N03D這被認(rèn)為是造成LED在大電流注入時效率下降的可能原因之一。
以上種種,都說明多量子阱內(nèi)的極化場阻礙了Ⅲ族氮化物光電子器件的效率提升。若能對Ⅲ族氮化物材料中的極化場加以調(diào)控,避短揚長,勢必將促進(jìn)氮化物半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用。利用極化效應(yīng)改善氮化物半導(dǎo)體器件的性能或開發(fā)新型器件己成為一個很有潛力的研究方向。
相關(guān)技術(shù)資料- 7-31AlGaN電子阻擋層
- 相關(guān)IC型號
- AF60N03D
- 暫無最新型號
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