沉積工藝
發(fā)布時間:2016/8/4 20:41:06 訪問次數(shù):832
LED芯片制造中用到的沉積工藝主要是PECVD沉積氧化硅、氮化硅、MC33941EGR2氮氧硅等用于鈍化層(Passivation Layer)或者電流阻擋層(CuⅡent Blocking Laycr,CBL)。如圖午13所示為PECVD的原理圖。它是利用低溫等離子體做能量源,晶片置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使晶片升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。一般說來,采用PECⅤD技術(shù)制備薄膜材料時,反應(yīng)物進入反應(yīng)室后,薄膜的生長主要包含3個基本過程:①在非平衡等離子體中,電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng),使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團的混合物;②各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運,同時發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng);③到達生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng),同時伴隨有氣相分子物的再放出。
LED芯片制造中用到的沉積工藝主要是PECVD沉積氧化硅、氮化硅、MC33941EGR2氮氧硅等用于鈍化層(Passivation Layer)或者電流阻擋層(CuⅡent Blocking Laycr,CBL)。如圖午13所示為PECVD的原理圖。它是利用低溫等離子體做能量源,晶片置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使晶片升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。一般說來,采用PECⅤD技術(shù)制備薄膜材料時,反應(yīng)物進入反應(yīng)室后,薄膜的生長主要包含3個基本過程:①在非平衡等離子體中,電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng),使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團的混合物;②各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運,同時發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級反應(yīng);③到達生長表面的各種初級反應(yīng)和次級反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng),同時伴隨有氣相分子物的再放出。
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