正裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制各工藝
發(fā)布時(shí)間:2016/8/5 19:47:13 訪問(wèn)次數(shù):570
LED行業(yè)目前大規(guī)模生產(chǎn)的藍(lán)綠光LED芯片,通常是使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)(MOCVD)在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN層形成GaN外延片, J430BNRB1并通過(guò)復(fù)雜的芯片制程將外延片加工成單顆LED芯片。因藍(lán)寶石襯底是非導(dǎo)電材料,一般都會(huì)采用干法蝕刻技術(shù)在GaN面同時(shí)制作P、N雙電極,即雙電極同側(cè)結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)因出光面不同又分為正裝結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)。正裝結(jié)構(gòu)從GaN面(正面)出光,而倒裝結(jié)構(gòu)從藍(lán)寶石面(背面)出光。
本節(jié)重點(diǎn)講述正裝芯片結(jié)構(gòu),正裝芯片有多種分類(lèi)方式,可以按照發(fā)光顏色、芯片功率、應(yīng)用范圍等進(jìn)行分類(lèi)。為更好闡述芯片結(jié)構(gòu),本書(shū)根據(jù)芯片功率將正裝芯片分為小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三類(lèi)。一般地,按功率分類(lèi)可以參考表⒋2。(目前LED
行業(yè)對(duì)3種功率芯片并沒(méi)有嚴(yán)格定義,下表僅供參考。)
LED行業(yè)目前大規(guī)模生產(chǎn)的藍(lán)綠光LED芯片,通常是使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)(MOCVD)在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)GaN層形成GaN外延片, J430BNRB1并通過(guò)復(fù)雜的芯片制程將外延片加工成單顆LED芯片。因藍(lán)寶石襯底是非導(dǎo)電材料,一般都會(huì)采用干法蝕刻技術(shù)在GaN面同時(shí)制作P、N雙電極,即雙電極同側(cè)結(jié)構(gòu)。此結(jié)構(gòu)因出光面不同又分為正裝結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)。正裝結(jié)構(gòu)從GaN面(正面)出光,而倒裝結(jié)構(gòu)從藍(lán)寶石面(背面)出光。
本節(jié)重點(diǎn)講述正裝芯片結(jié)構(gòu),正裝芯片有多種分類(lèi)方式,可以按照發(fā)光顏色、芯片功率、應(yīng)用范圍等進(jìn)行分類(lèi)。為更好闡述芯片結(jié)構(gòu),本書(shū)根據(jù)芯片功率將正裝芯片分為小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三類(lèi)。一般地,按功率分類(lèi)可以參考表⒋2。(目前LED
行業(yè)對(duì)3種功率芯片并沒(méi)有嚴(yán)格定義,下表僅供參考。)
上一篇:藍(lán)綠光LED芯片結(jié)構(gòu)及制備工藝
上一篇:小功率芯片
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 8086的總線周期
- 分布布拉格反射鏡 (Distribution
- 雙異質(zhì)結(jié)量子阱結(jié)構(gòu)
- 非平衡pn結(jié)
- 匯編結(jié)束偽指令END
- 帶借位減法指令
- sOC51單片機(jī)的定時(shí)功能和計(jì)數(shù)功能本質(zhì)上有
- 可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EPROM
- 無(wú)條件轉(zhuǎn)移指令
- 襯底材料的粗糙度及DBR膜層質(zhì)量對(duì)DBR反射
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- 英特爾酷睿Ultra處理器驅(qū)動(dòng)
- 散熱片 Crucial P31
- 三星F-DVFS(全動(dòng)態(tài)電壓頻
- 業(yè)界首款12納米級(jí)LPDDR5X DRAM
- 移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
- 48GB 16層HBM3E結(jié)構(gòu)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究