由前面內(nèi)容可知,在pn結(jié)內(nèi)同時(shí)存在由載流子濃度分布不均勻引起的擴(kuò)散電流和由內(nèi)建電場(chǎng)引起的漂移電流。 AH202在無外加電場(chǎng)時(shí),擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消;有外加電場(chǎng)時(shí),由于勢(shì)壘區(qū)內(nèi)載流子濃度低,外加電場(chǎng)主要降落在勢(shì)壘區(qū)上,使勢(shì)壘升高或降低。外加電壓為正向電壓時(shí),勢(shì)壘降低,其能帶結(jié)構(gòu)如圖2-8(a)所示,漂移電流只能部分抵消擴(kuò)散電流,p型區(qū)空穴注入到n型區(qū),n型區(qū)電子注入p型區(qū)。外加電壓為反向電壓時(shí),勢(shì)壘升高,其能帶結(jié)構(gòu)如圖⒉8(b)所示,擴(kuò)散電流只能抵消部分漂移電流,n型區(qū)空穴注入到p型區(qū),p型區(qū)電子注入到n型區(qū)。