天線效應(yīng)原理圖
發(fā)布時(shí)間:2016/6/29 21:19:44 訪問(wèn)次數(shù):3330
已有的研究表明,天線比越大,等離子損傷越厲害。所以對(duì)于每種情況(金屬、多晶體硅、通孔等)應(yīng)當(dāng)通過(guò)評(píng)價(jià),最后給出結(jié)果來(lái)說(shuō)明在多大的天線比以下是安全的, HCPL2531供電路設(shè)計(jì)工程師參考。這也是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Dcsign Rule ChcGk,DRC)的一部分。
設(shè)計(jì)MOs晶體管時(shí),要考慮天線效應(yīng)的影響。天線效應(yīng)是指當(dāng)大面積的金屬1與柵極相連時(shí),金屬就會(huì)作為一個(gè)天線,在金屬的刻蝕過(guò)程中收集周圍游離的帶電離子,增加金屬上的電勢(shì),進(jìn)而使柵電勢(shì)增加。一旦電勢(shì)增加到一定程度,就會(huì)導(dǎo)致柵氧化層擊穿,如圖8.33所示。圖8.34所示是實(shí)際工藝中MOs器件天線效應(yīng)產(chǎn)生的示意圖,與柵極相連的大面積多晶硅也可能出現(xiàn)天線效應(yīng)。
已有的研究表明,天線比越大,等離子損傷越厲害。所以對(duì)于每種情況(金屬、多晶體硅、通孔等)應(yīng)當(dāng)通過(guò)評(píng)價(jià),最后給出結(jié)果來(lái)說(shuō)明在多大的天線比以下是安全的, HCPL2531供電路設(shè)計(jì)工程師參考。這也是設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Dcsign Rule ChcGk,DRC)的一部分。
設(shè)計(jì)MOs晶體管時(shí),要考慮天線效應(yīng)的影響。天線效應(yīng)是指當(dāng)大面積的金屬1與柵極相連時(shí),金屬就會(huì)作為一個(gè)天線,在金屬的刻蝕過(guò)程中收集周圍游離的帶電離子,增加金屬上的電勢(shì),進(jìn)而使柵電勢(shì)增加。一旦電勢(shì)增加到一定程度,就會(huì)導(dǎo)致柵氧化層擊穿,如圖8.33所示。圖8.34所示是實(shí)際工藝中MOs器件天線效應(yīng)產(chǎn)生的示意圖,與柵極相連的大面積多晶硅也可能出現(xiàn)天線效應(yīng)。
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