制作透明導電層。采用電JAGASMAE子束蒸發(fā)或者其他方式制作透明導電層,目前比較成熟的透明導電材料為氧化銦錫(ITO),ITO材料有良好的導電性能同時本身為透明材料,并且ITo材料可以與p-⒍Ⅸ形成良好的歐姆接觸。早期的透明導電層一般使用Ni從u合金,但是由于穿透率偏低已經被ITo取代。完成透明導電層鍍膜后,通過光刻、濕法蝕刻等步驟露出n~⒍N與部分p-G瘀。ITo層的分布通常是在MEsA層的分布基礎上往芯片內部縮進4~7um。

   ITo退火。去除光刻膠并清洗干凈后使用高溫爐管或者是快速退火爐(RTA)進行退火處理,形成透明導電層與p-GaN的歐姆接觸,此歐姆接觸的形成對LED芯片的正向電壓影響非常大,通常會在氮氣氛圍,溫度在500℃左右的條件下進行退火處理。

   制作絕緣保護層,使用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)沉積絕緣保護層,并經過光刻、濕法腐蝕、去膠清洗等步驟使得P電極與N電極的焊盤位置露出。此絕緣層可采用s⒑2、si3N4或者siON材料,這些材料是通過siH4(或者siH3￡H3等)與N20在PECVD機臺中經過化學反應生成的。