大功率芯片通常也是采用中功率的5次光刻制程(MEsA→CBL→ITO→PAD→PV),但是背鍍層會由DBR改為ODR(全方位反射層)。oDR的結(jié)構(gòu)主要是在DBR放射層的基礎(chǔ)上再增加高反射率的金屬,如Al、Ag等金屬,有時候在最后覆蓋上一層Au。與單純DBR結(jié)構(gòu)相比,這種結(jié)構(gòu)的oDR反射角度與反射率均有提升。進(jìn)一步提升了芯片亮度,JCP8060-MSA同時對芯片散熱有一定幫助。

   某些LED芯片制造企業(yè)的大功率芯片也有采用SWE工藝,這同樣有利于芯片亮度提升,關(guān)于SWE提升芯片亮度的原理請參考5.5章節(jié)的詳細(xì)介紹。圖4-29與圖4-30所示是小功率芯片、中功率芯片以及大功率芯片的光功率與驅(qū)動電流和正向電壓的特性曲線,由圖可知,芯片功率越大即芯片面積越大,隨驅(qū)動電流增加電壓上升越少,發(fā)光效率下降越少c其原因是小功率芯片面積小,電阻大,電流密度大,單位面積產(chǎn)生的熱量大,熱量無法散出導(dǎo)致芯片失效,而隨著芯片面積增加,此問題可以得到改善。所以小功率芯片只能在小電流驅(qū)動下工作,中功率芯片適合在中等電流驅(qū)動下工作,大功率芯片可以在大電流驅(qū)動下工作。