倒裝芯片的實(shí)質(zhì)是在傳統(tǒng)正裝工藝的基礎(chǔ)上,將芯片的出光區(qū)與電極區(qū)不設(shè)計(jì)在同一個(gè)平面,此時(shí)電極區(qū)面朝向封裝燈杯底部進(jìn)行貼裝,JCY0200出光區(qū)為藍(lán)寶石襯底面,如果對(duì)于薄膜倒裝芯片,則出光面為ll-GaN面。這也可以省掉焊線這一工序,但是對(duì)固晶這段工藝的精度要求相對(duì)較高。

   倒裝芯片結(jié)構(gòu)與正裝芯片結(jié)構(gòu)的對(duì)比如圖⒋31所示。

   為適應(yīng)LED芯片的應(yīng)用,倒裝芯片制造過(guò)程中的倒裝技術(shù)也在不斷進(jìn)化改善,芯片的電極結(jié)構(gòu)也有大幅度的變化,其關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)如下P1]:

   ①P,N Pad在爆點(diǎn)采用了大面積多層加厚金屬電極,簡(jiǎn)單來(lái)講芯片正面只可以看到兩大塊分割開(kāi)的P,N爆線用電極。

   ②采用了微電子制造領(lǐng)域中的雙層布線技術(shù)。

   ③雙層布線電極之間采用介質(zhì)隔離技術(shù)。