與傳統(tǒng)的正裝芯片相比,倒裝芯片具備發(fā)光效率高、散熱好,可大電流密度使用、 JDH2S02SC穩(wěn)定性好、抗ESD能力強、免焊線等優(yōu)勢P釗。

   倒裝LED芯片的發(fā)光效率提升

LED芯片發(fā)光效率的提高決定著未來LED光源的節(jié)能能力,隨著外延生長技術(shù)、多量子阱結(jié)構(gòu)以及圖形化藍(lán)寶石襯底的發(fā)展,外延片的內(nèi)量子效率己有很大提高。要如何進(jìn)一步提升發(fā)光效率,很大程度上取決于如何從芯片中用最少的功率提取最多的光,即提升外

量子效率。簡單而言,就是降低正向電壓,提高芯片亮度。傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片,股需要在p-GaN上鍍一層透明導(dǎo)電層使電流分布更均勻,而這一透明導(dǎo)電層會對LED發(fā)出的光產(chǎn)生部分吸收,且P電極會遮擋住部分光,這就限制了LED芯片的出光效率。采用倒裝結(jié)構(gòu)的LED芯片,不但可以同時避開P電極上透明導(dǎo)電層吸光和電極焊盤遮光的問題,還可以通過在少GaN表面設(shè)置低歐姆接觸的反光層來將往下的光線引導(dǎo)向上,這樣可同時降低正向電壓及提高芯片亮度。截至⒛14年中期,LED芯片采用倒裝結(jié)構(gòu)和圖形化技術(shù),1W功率芯片白光封裝后,5000K色溫下,正向電壓2.9V,光效最高達(dá)1601WW。

   正裝結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)的芯片是GaN與熒光粉和硅膠接觸,而∫至刂裝結(jié)構(gòu)中是藍(lán)寶石與熒光粉和硅膠接觸。GaN的折射率約為2,4,藍(lán)寶石折射率為1,8,熒光粉折射率為1,7,硅膠折射率通常為1,4~1.5。藍(lán)寶石/(硅膠+熒光粉)和GaN/(硅膠+熒光粉)的全反射臨界角分別為51,1°~⒛。8°和36,7°~45,1°,在封裝結(jié)構(gòu)中由藍(lán)寶石表面射出的光經(jīng)由硅膠和熒光粉界面層的全反射臨界角更大,光線全反射損失大大降低。同時,芯片結(jié)構(gòu)的設(shè)計不同,導(dǎo)致電流密度和電壓的不同,對LED的光效有明顯的影響。如傳統(tǒng)的正裝大功率芯片通常電壓在3,2V以上,而倒裝結(jié)構(gòu)芯片,由于電極結(jié)構(gòu)的設(shè)計,電流分布更均勻,使LED芯片的電壓大幅度降低至2.8~3,0V,因此,在同樣光通量的情況,倒裝芯片的光效比正裝芯片光效約高16%~25%。