隱形切割被廣泛用來提高GaN基LED的光性能
發(fā)布時(shí)間:2016/8/7 17:41:46 訪問次數(shù):954
隱形切割被廣泛用來提高GaN基LED的光性能。利用超短波長極高能量密度產(chǎn)生非線性多光子吸收效應(yīng)的優(yōu)勢(shì),Al O鍵可以被直接分離,EN80C196KC20在藍(lán)寶石襯底的中心產(chǎn)生空氣孔洞。分開芯粒后,隱形切割在芯粒側(cè)壁形成小的粗化區(qū)域只能產(chǎn)生很小的LOP提升。然而,這 種非接觸低損傷的方法給我們提供了對(duì)GaN基LED在藍(lán)寶石中引入微納米結(jié)構(gòu)而提高亮度的可能。Ⅵyun zhang等人[l"通過皮秒脈沖激光在InGaN基LED的藍(lán)寶石襯底側(cè)面制程啞鈴狀的空氣孔(如圖5-7所示)來提高LED的光提取效率。1001mA驅(qū)動(dòng)下,激光引入空氣孔的LED封裝后出光功率比傳統(tǒng)LED高z.7%[女口圖5-8(a)所示]。遠(yuǎn)場輻射光型(Far-Ⅱeld radi缸o(hù)n pattcm)證實(shí)這種巨大的提升[如圖5-8(b)所示]是由于藍(lán)寶石和空氣界面之間的散射而實(shí)現(xiàn)的。正/曲線表明引入空氣孔沒有使LED的電性能退化,甚至在△0V下的5nA級(jí)別的漏電反而較傳統(tǒng)LED有所改善。
隱形切割被廣泛用來提高GaN基LED的光性能。利用超短波長極高能量密度產(chǎn)生非線性多光子吸收效應(yīng)的優(yōu)勢(shì),Al O鍵可以被直接分離,EN80C196KC20在藍(lán)寶石襯底的中心產(chǎn)生空氣孔洞。分開芯粒后,隱形切割在芯粒側(cè)壁形成小的粗化區(qū)域只能產(chǎn)生很小的LOP提升。然而,這 種非接觸低損傷的方法給我們提供了對(duì)GaN基LED在藍(lán)寶石中引入微納米結(jié)構(gòu)而提高亮度的可能。Ⅵyun zhang等人[l"通過皮秒脈沖激光在InGaN基LED的藍(lán)寶石襯底側(cè)面制程啞鈴狀的空氣孔(如圖5-7所示)來提高LED的光提取效率。1001mA驅(qū)動(dòng)下,激光引入空氣孔的LED封裝后出光功率比傳統(tǒng)LED高z.7%[女口圖5-8(a)所示]。遠(yuǎn)場輻射光型(Far-Ⅱeld radi缸o(hù)n pattcm)證實(shí)這種巨大的提升[如圖5-8(b)所示]是由于藍(lán)寶石和空氣界面之間的散射而實(shí)現(xiàn)的。正/曲線表明引入空氣孔沒有使LED的電性能退化,甚至在△0V下的5nA級(jí)別的漏電反而較傳統(tǒng)LED有所改善。
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