單次不同的深度隱形切割對(duì)亮度的影響曲線
發(fā)布時(shí)間:2016/8/7 17:47:31 訪問(wèn)次數(shù):533
Ⅵytln Zhang等人[l叨報(bào)道了用多次皮秒激光隱形切割的方法提高InG之N基LED的光提取效率。 EP1C12Q240C8N相對(duì)納秒激光和單次隱形切割,多次皮秒隱切可以提高光功率26,5%和11,2%。LoP提高的機(jī)制是多次皮秒激光增加了側(cè)壁出光的粗糙面積。并且指出在藍(lán)寶石襯底LED傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)中,隱形切割在藍(lán)寶石中的深度對(duì)LED的亮度有影響,認(rèn)為不同深度隱形切割對(duì)藍(lán)寶石側(cè)壁造成的粗化位置有差異,且造成封裝后亮度不同,如圖5-11所示,隨著單次隱形切割位置離發(fā)光層距離減小,其封裝后亮度先增加后減小。
圖5-11 單次不同的深度隱形切割對(duì)亮度的影響曲線
Ⅵytln Zhang等人[l叨報(bào)道了用多次皮秒激光隱形切割的方法提高InG之N基LED的光提取效率。 EP1C12Q240C8N相對(duì)納秒激光和單次隱形切割,多次皮秒隱切可以提高光功率26,5%和11,2%。LoP提高的機(jī)制是多次皮秒激光增加了側(cè)壁出光的粗糙面積。并且指出在藍(lán)寶石襯底LED傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)中,隱形切割在藍(lán)寶石中的深度對(duì)LED的亮度有影響,認(rèn)為不同深度隱形切割對(duì)藍(lán)寶石側(cè)壁造成的粗化位置有差異,且造成封裝后亮度不同,如圖5-11所示,隨著單次隱形切割位置離發(fā)光層距離減小,其封裝后亮度先增加后減小。
圖5-11 單次不同的深度隱形切割對(duì)亮度的影響曲線
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