在中晟MOCVD等新型技術(shù)設(shè)備中,輻射高溫計和反射率計已被成功集成于同一套測量系統(tǒng)內(nèi),使得設(shè)備裝配簡潔的同時提升了測量功能和數(shù)據(jù)處理能力。 A914BYW-4R7M翹曲率測量儀,又稱光束撓度計(dcncct。mcter),專用來測量外延片的翹曲曲率。在外延生長中,外延層與襯底材料通常為異質(zhì)外延生長,這樣就容易產(chǎn)生應(yīng)力。應(yīng)力使外延片發(fā)生翹曲。通過測量翹曲率,來計算異質(zhì)外延生長時由于晶格失配和熱失配所產(chǎn)生的應(yīng)力,反之可利用相關(guān)信息優(yōu)化外延生長工藝和托盤的設(shè)計,實現(xiàn)襯底片上均勻的溫場分布和材料的外延均勻生長,避免翹曲甚至裂紋出現(xiàn),保證外延材料的高質(zhì)量。例如,在GaN基LED外延生長過程中,通過監(jiān)測翹曲率知曉實時生長時的應(yīng)力情況,及時調(diào)整參數(shù)以規(guī)避過大彎曲,使得外延生長成功。又如,通過預(yù)知外延片在不同階段翹曲情況,可以相應(yīng)改變生長參數(shù)使在生長InGaN量子阱時襯底處于平坦?fàn)顟B(tài)且與基座有良好的熱接觸,從而改善襯底溫度均勻性,提高器件發(fā)光波長的均勻性。

   圖13所示的單光束撓度計四和多光束應(yīng)力傳感器撓度計(MOsS)P3]都是利用激光束近垂直入射到翹曲的外延片上反射光斑的位移,得出原位測量生長溫度下的外延片的翹曲率,從而計算出應(yīng)力P刨。