MOCVD源材料
發(fā)布時(shí)間:2016/7/28 22:21:33 訪問(wèn)次數(shù):1139
高質(zhì)量的源材料是制備高性能光電子器件的基礎(chǔ)。LED的MOCVD外延生長(zhǎng)所用到的主要源材料有金屬有機(jī)化合物源(Mo源)、氫化物源、A914BYW-680M高純載氣和襯底。GaN基藍(lán)綠光LED和AlGaInP紅黃光LED外延生長(zhǎng)所用的Mo源大多相同,其主要區(qū)別在于氫化物V族源和襯底的不同,GaN基LED的氫化物V族源為NH3,而AlGaInP紅黃光LED的V族源主要為As比和PH3。SiH4雖是氫化物,其主要作為n型摻雜源。實(shí)際生長(zhǎng)過(guò)程中用到的H2和惰性氣體N2和Ar等作為載氣也屬于源材料。GaN基藍(lán)綠光LED所使用的襯底片的材料一般為藍(lán)寶石、Si、sC等,而AlGaInP紅黃光LED的襯底材料一般為GaAs和hP。
源材料的化學(xué)、物理性質(zhì)和純度對(duì)MOCVD生長(zhǎng)條件、外延層的質(zhì)量等都有決定性的影響。本文僅對(duì)這些氣源材料的基本性能做常識(shí)性的簡(jiǎn)略介紹,以幫助我們理解在實(shí)際產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)中對(duì)這些氣源材料的使用、處置方法與措施。
高質(zhì)量的源材料是制備高性能光電子器件的基礎(chǔ)。LED的MOCVD外延生長(zhǎng)所用到的主要源材料有金屬有機(jī)化合物源(Mo源)、氫化物源、A914BYW-680M高純載氣和襯底。GaN基藍(lán)綠光LED和AlGaInP紅黃光LED外延生長(zhǎng)所用的Mo源大多相同,其主要區(qū)別在于氫化物V族源和襯底的不同,GaN基LED的氫化物V族源為NH3,而AlGaInP紅黃光LED的V族源主要為As比和PH3。SiH4雖是氫化物,其主要作為n型摻雜源。實(shí)際生長(zhǎng)過(guò)程中用到的H2和惰性氣體N2和Ar等作為載氣也屬于源材料。GaN基藍(lán)綠光LED所使用的襯底片的材料一般為藍(lán)寶石、Si、sC等,而AlGaInP紅黃光LED的襯底材料一般為GaAs和hP。
源材料的化學(xué)、物理性質(zhì)和純度對(duì)MOCVD生長(zhǎng)條件、外延層的質(zhì)量等都有決定性的影響。本文僅對(duì)這些氣源材料的基本性能做常識(shí)性的簡(jiǎn)略介紹,以幫助我們理解在實(shí)際產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)中對(duì)這些氣源材料的使用、處置方法與措施。
相關(guān)技術(shù)資料- 7-28MOCVD源材料
- 相關(guān)IC型號(hào)
- A914BYW-680M
- 暫無(wú)最新型號(hào)
熱門點(diǎn)擊
- MAX232引腳排列與內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)
- 字?jǐn)?shù)據(jù)定義偽指令DW
- 查詢傳送方式
- 82C55的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳排列
- 外部RAM單元1000H的內(nèi)容傳送到R5
- 晶格常數(shù)與GaAs是匹配的
- 斜坡電流測(cè)量流程
- 雜質(zhì)補(bǔ)償機(jī)制
- 有源層與襯底間不可能實(shí)現(xiàn)完全晶格匹配
- GaAs襯底的標(biāo)識(shí)定位邊
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同，EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
