垂直結(jié)構(gòu)芯片,其P、N電極焊盤分別在芯片的兩邊,一般N電極朝上,為出光面,因此N電極焊盤要求保證與n~GaN形成低接觸電阻的歐姆接觸的同時(shí)具有高的反射率,P電極面不出光,要求高反射率,同時(shí)與p-⒍Ⅸ形成低接觸電阻的歐姆接觸。EP1C3T144C7N這種結(jié)構(gòu)一般需要將襯底剝離下來,做成薄膜垂直結(jié)構(gòu)芯片,其特點(diǎn)是電流擴(kuò)展較好,熱阻小,可承受大電流驅(qū)動(dòng)等。

   金屬銀(Ag)在可見光波段具有很高的反射率(>95%),常被用來做LED的反射層,然而,因?yàn)槠涞偷墓瘮?shù)而使之很難與p-αⅨ形成好的歐姆接觸,而且,Ag與少⒍Ⅸ的黏附性很差,導(dǎo)致很容易脫落,這個(gè)問題通常在Ag與p-⒍Ⅸ中間加入插入層來解決卩〕]。鎳(Ni)、鈦(△)等具有較高的功函數(shù)(Ni功函數(shù)5.2cV,△功函數(shù)4.33eV)并且具有良好的黏附性,通常被選作插入層,但是Ni/Ag在可見光段的反射率較低,約為54%(與Ni的厚度有關(guān)),并且Ag在退火中易球聚(agg1omeration)和氧化(oxidiZCd)°金屬鋁(Al)不但在可見光波段具有較高反射率,在紫光及紫外波段也具有較高的反射率(參見圖5-18),并且Al較為便宜,因此Al也常被用作LED反射層金屬。但是Al的功函數(shù)很低,不能直接與p-GaN形成歐姆接觸,需要其他插入層。Al也與Ag一樣具有黏附性、球聚、氧化的問題,需要在芯片制造過程中通過其他方式來克服。